国家知识产权局信息显示,武汉华工图像技术开发有限公司申请一项“激光全息防伪膜及其制备方法”的专利,其申请公开号为CN122201116A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明提供了一种激光全息防伪膜及其制备方法,激光全息防伪膜包括依次设置的PC基膜、镀层、耐温层,PC基膜中设有全息防伪图案。本发明实现了在180200℃高温层压下全息防伪图案的稳定保持,同时,简化了制备工艺,降低了制作成本。
文章来源:根据国家知识产权局官网整理
国家知识产权局信息显示,武汉华工图像技术开发有限公司申请一项“激光全息防伪膜及其制备方法”的专利,其申请公开号为CN122201116A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明提供了一种激光全息防伪膜及其制备方法,激光全息防伪膜包括依次设置的PC基膜、镀层、耐温层,PC基膜中设有全息防伪图案。本发明实现了在180200℃高温层压下全息防伪图案的稳定保持,同时,简化了制备工艺,降低了制作成本。
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